• 전압증폭도

$$ 전압증폭도 = \frac{출력전압(E_2)}{입력전압(E_1)} $$

• 전압이득

$$ 전압이득[dB] = 20 log \frac{E_2}{E_1} $$

• 전류이득

$$ 전류이득[dB] = 20 log \frac{I_2}{I_1} $$

• 전력이득

$$ 전압이득[dB] = 20 log \frac{P_2}{P_1} $$

• 잡음지수(잡음 발생이 없으면 NF=1, 잡음발생이 많을수록 커진다)

$$ NF = \frac{S_I/N_I}{S_O/N_O} $$

• 하아틀리 발진기

$$ f \simeq \frac{1}{2\pi \sqrt{LC}} \simeq \frac{1}{2\pi \sqrt{(L_1+L_2+2M)C}} $$

• 콜피트 발진기

$$ f \simeq \frac{1}{2\pi \sqrt{LC}} \simeq \frac{1}{2\pi \sqrt{(L(\frac{C_1C_2}{C_1+C_2})}} $$

• 변조파 성분

$$ i = I_m\sin(wt+\Phi)$$

• 변조도

$$ M= \frac{B}{A}\times 100 [\%]$$

• 변조파전력

$$ P_m = P_c(1+\frac{M^2}{4}+\frac{M^2}{4}) = P_c(1+\frac{M^2}{2})$$

 

변조시 안테나 전류 I_m, 무변조시 안테나 전류를 I_c라고 하면

$$ I_m = I_c \sqrt{1+\frac{M^2}{2}}$$

• 검파효율

$$ 검파효율 \eta = \frac{직류출력전압}{고주파 입력전압의 최대값} = \frac{E_d}{E_c} $$

• 검파출력

$$ 저주파 검파출력의 실효값 = \frac{\eta ME_c}{\sqrt{2}} $$

• AND 회로

$$ X_1\cdot X_2 = 1 $$

• OR 회로

$$ X_1 + X_2 = 1 $$

• NOT 회로

$$ \overline{X} = A $$

• NAND 회로

$$ \overline{X_1\cdot X_2} = A $$

• NOR 회로

$$ \overline{X_1 + X_2} = A $$

• 베이스접지의 증류증폭율(a)

$$ \alpha = \frac{\Delta I_C(출력측의컬렉터전류증가량}{\Delta I_E(입력측의이미터전류증가량)} $$

• 에미터접지의 전류증폭율(b)

$$ \beta = \frac{\Delta I_C(출력측의컬렉터전류증가량}{\Delta I_B(입력측의베이스전류증가량)} $$

• 베이스 접지의 전류증폭율과 에미터접지의 전류증폭율 관계식

$$ \alpha = \frac{\beta}{1+\beta} \qquad \beta = \frac{\alpha}{1+\alpha} $$

• 진공관의 3정수

$$ 증폭률(\mu)=내부저항(r_p)\cdot 상호콘덕턴스(g_m)$$