- 전압증폭도
$$ 전압증폭도 = \frac{출력전압(E_2)}{입력전압(E_1)} $$
- 전압이득
$$ 전압이득[dB] = 20 log \frac{E_2}{E_1} $$
- 전류이득
$$ 전류이득[dB] = 20 log \frac{I_2}{I_1} $$
- 전력이득
$$ 전압이득[dB] = 20 log \frac{P_2}{P_1} $$
- 잡음지수(잡음 발생이 없으면 NF=1, 잡음발생이 많을수록 커진다)
$$ NF = \frac{S_I/N_I}{S_O/N_O} $$
- 하아틀리 발진기
$$ f \simeq \frac{1}{2\pi \sqrt{LC}} \simeq \frac{1}{2\pi \sqrt{(L_1+L_2+2M)C}} $$
- 콜피트 발진기
$$ f \simeq \frac{1}{2\pi \sqrt{LC}} \simeq \frac{1}{2\pi \sqrt{(L(\frac{C_1C_2}{C_1+C_2})}} $$
- 변조파 성분
$$ i = I_m\sin(wt+\Phi)$$
- 변조도
$$ M= \frac{B}{A}\times 100 [\%]$$
- 변조파전력
$$ P_m = P_c(1+\frac{M^2}{4}+\frac{M^2}{4}) = P_c(1+\frac{M^2}{2})$$
변조시 안테나 전류 Im, 무변조시 안테나 전류를 Ic라고 하면
$$ I_m = I_c \sqrt{1+\frac{M^2}{2}}$$
- 검파효율
$$ 검파효율 \eta = \frac{직류출력전압}{고주파 입력전압의 최대값} = \frac{E_d}{E_c} $$
- 검파출력
$$ 저주파 검파출력의 실효값 = \frac{\eta ME_c}{\sqrt{2}} $$
- AND 회로
$$ X_1\cdot X_2 = 1 $$
- OR 회로
$$ X_1 + X_2 = 1 $$
- NOT 회로
$$ \overline{X} = A $$
- NAND 회로
$$ \overline{X_1\cdot X_2} = A $$
- NOR 회로
$$ \overline{X_1 + X_2} = A $$
- 베이스접지의 증류증폭율(a)
$$ \alpha = \frac{\Delta I_C(출력측의컬렉터전류증가량}{\Delta I_E(입력측의이미터전류증가량)} $$
- 에미터접지의 전류증폭율(b)
$$ \beta = \frac{\Delta I_C(출력측의컬렉터전류증가량}{\Delta I_B(입력측의베이스전류증가량)} $$
- 베이스 접지의 전류증폭율과 에미터접지의 전류증폭율 관계식
$$ \alpha = \frac{\beta}{1+\beta} \qquad \beta = \frac{\alpha}{1+\alpha} $$
- 진공관의 3정수
$$ 증폭률(\mu)=내부저항(r_p)\cdot 상호콘덕턴스(g_m)$$
